Datasheet下载- 型号： NVD5806NT4G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVD5806NT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVD5806NT4G价格参考。ON SemiconductorNVD5806NT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NVD5806NT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVD5806NT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NVD5806NT4G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款增强型N沟道功率MOSFET，属于单MOSFET器件，广泛应用于需要高效、低导通电阻和高可靠性的电源管理场景。其主要应用场景包括： 1. 电源转换系统：常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器中，作为同步整流或主开关元件，提升转换效率，降低功耗。 2. 电机驱动：适用于小型电机控制电路，如电动工具、家用电器中的直流电机驱动，具备良好的开关特性和耐压能力。 3. 电池管理系统（BMS）：在便携式设备和电动自行车等电池供电系统中，用于充放电控制和保护电路，提供低导通电阻以减少发热。 4. 照明应用：用于LED驱动电路，特别是在高亮度LED照明系统中，实现高效恒流控制。 5. 汽车电子：得益于其符合AEC-Q101车规认证，NVD5806NT4G适用于车载电源模块、车身控制模块（如车窗升降、座椅调节）等环境要求严苛的场合。 该器件具有低栅极电荷、低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，支持高效率与小型化设计。采用TSSOP-8封装，便于表面贴装，适合空间受限的应用。同时，其内部集成的静电保护（ESD）功能增强了可靠性。 综上，NVD5806NT4G是一款高性能、高可靠性的MOSFET，适用于工业控制、消费电子、汽车电子及绿色能源等多种中低功率电源管理场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NVD5806NT4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 860pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 19 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 33A （Tc） |
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