Datasheet下载- 型号： IXFX24N100
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFX24N100由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFX24N100价格参考。IXYSIXFX24N100封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFX24N100参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFX24N100 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFX24N100是一款高压、大功率的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单MOSFET器件，广泛应用于高电压、高功率的电力电子系统中。其耐压高达1000V，连续漏极电流可达24A，具备优良的开关性能和热稳定性。 该型号典型应用场景包括：工业电机驱动、高压电源系统（如开关电源、DC-AC逆变器）、太阳能光伏逆变器、不间断电源（UPS）以及电焊机等电力转换设备。由于其高击穿电压和低导通电阻特性，特别适合用于需要高效能、高可靠性的高压直流到交流或直流到直流转换场合。 此外，IXFX24N100也常用于感应加热设备、电动车辆的辅助电源系统及高压照明电源中。其坚固的封装设计（通常为TO-268或类似大功率封装）有利于散热，可在较恶劣的工业环境中稳定运行。总体而言，该MOSFET适用于对效率、耐压和可靠性要求较高的中高功率应用领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS 247 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXFX24N100 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HiPerFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 8mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 267nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 390 毫欧 @ 12A，10V |
| 供应商器件封装 | PLUS247™-3 |
| 功率-最大值 | 560W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 24A （Tc） |
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