Datasheet下载- 型号： IPB65R225C7ATMA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB65R225C7ATMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB65R225C7ATMA1价格参考。InfineonIPB65R225C7ATMA1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB65R225C7ATMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB65R225C7ATMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的IPB65R225C7ATMA1是一款650V、225A的CoolMOS™ C7系列MOSFET，具有低导通电阻、高效率和优异的热性能，广泛应用于高功率密度和高效率要求的场景。主要应用场景包括： 1. 电源供应器：用于服务器电源、通信电源、工业电源等高效电源系统中，提升能效和功率密度。 2. 光伏逆变器：适用于太阳能逆变系统，提高能源转换效率，满足可再生能源系统对高可靠性和高效率的需求。 3. 电动汽车充电设备：在充电桩和车载充电器中作为功率开关，支持高效率和快速充电。 4. 电机驱动与变频器：用于工业电机控制和变频器系统，实现高效、稳定的电机运行。 5. UPS（不间断电源）：在UPS系统中用于功率因数校正（PFC）和DC-AC逆变电路，提升系统效率和稳定性。 该器件采用TO-247封装，具备优良的散热性能，适合高功率和高温环境下工作，是工业及能源应用中理想的功率开关器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 11A TO-263-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/DS_IPB65R225C7_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433e78ea82013e7921c0d800bc |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPB65R225C7ATMA1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CoolMOS™ C7 |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 240µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 996pF @ 400V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 225 毫欧 @ 4.8A， 10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO263 |
| 其它名称 | IPB65R225C7ATMA1DKR |
| 功率-最大值 | 63W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Tc） |
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