Datasheet下载- 型号： IRFR3303TR
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR3303TR由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR3303TR价格参考。International RectifierIRFR3303TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFR3303TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR3303TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为 IRFR3303TR 的MOSFET，属于功率MOSFET器件，常用于需要高效、高频率开关性能的应用中。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和良好的热稳定性，适用于多种电源管理和功率转换场景。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等，用于提高能效和减小电路体积。 2. 电机控制：在无刷直流电机（BLDC）、伺服电机或电动车电机驱动电路中作为开关元件。 3. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制、保护电路和电池均衡。 4. 工业自动化与电机驱动器：如变频器、伺服驱动器和工业电源模块。 5. 汽车电子：如车载充电器、起停系统、LED车灯驱动等对可靠性和效率有高要求的场景。 6. 消费类电子产品：如笔记本电脑、游戏机、智能家电中的电源模块。 IRFR3303TR采用Trench沟槽技术，具备良好的导通与开关性能，适合高频工作环境，是一款广泛应用于中小型功率系统的N沟道增强型MOSFET。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 33A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFR3303TR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 750pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 31 毫欧 @ 18A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 57W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 33A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfr3303.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfr3303.spi |
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