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  • 型号: FDD6630A
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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FDD6630A产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDD6630A由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD6630A价格参考。Fairchild SemiconductorFDD6630A封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 21A(Ta) 28W(Ta) TO-252。您可以下载FDD6630A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDD6630A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 21A D-PAKMOSFET 30V N-Ch PowerTrench

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

21 A

Id-连续漏极电流

21 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD6630APowerTrench®

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产品型号

FDD6630A

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

28 W

Pd-功率耗散

28 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

28 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

28 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

8 ns

下降时间

13 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

462pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

7nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

35 毫欧 @ 7.6A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-252

其它名称

FDD6630ACT

典型关闭延迟时间

17 ns

功率-最大值

1.3W

包装

剪切带 (CT)

单位重量

260.370 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

13 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

21A (Ta)

系列

FDD6630A

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FDD6630A_NL

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