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  • 型号: FDD6296
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDD6296产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDD6296由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD6296价格参考。Fairchild SemiconductorFDD6296封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta),50A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) D-PAK(TO-252)。您可以下载FDD6296参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDD6296 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDD6296 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于电源管理和功率开关应用。其主要应用场景包括:

1. 电源转换系统:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)中,用于高效能功率开关。
2. 电机控制:在电动工具、风扇、泵等电机驱动电路中作为功率开关元件。
3. 负载开关:用于控制电池供电设备中的负载连接与断开,如笔记本电脑、平板、智能家电等。
4. 汽车电子:如车载充电器、车身控制模块、LED照明驱动等对效率和可靠性要求较高的场景。
5. 工业自动化:用于工业控制设备中的功率开关,如PLC、伺服驱动器、传感器电源管理等。

该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好热性能,适合高频、高效能要求的应用场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 15A D-PAKMOSFET 30V N-Ch PowerTrench Fast Switching

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

50 A

Id-连续漏极电流

50 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD6296PowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDD6296

Pd-PowerDissipation

3.8 W

Pd-功率耗散

3.8 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

8.8 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

8.8 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

6 ns

下降时间

13 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1440pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

31.5nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

8.8 毫欧 @ 15A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-252

其它名称

FDD6296DKR

典型关闭延迟时间

29 ns

功率-最大值

1.6W

包装

Digi-Reel®

单位重量

260.370 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

58 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

15A (Ta), 50A (Tc)

系列

FDD6296

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FDD6296_NL

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