Datasheet下载- 型号： STFI24N60M2
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STFI24N60M2由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STFI24N60M2价格参考。STMicroelectronicsSTFI24N60M2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STFI24N60M2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STFI24N60M2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STFI24N60M2是一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于电力电子领域。该器件具有高耐压（600V）、大电流（24A）和低导通电阻的特点，适用于需要高效能和高可靠性的电源转换系统。 主要应用场景包括： 1. 电源供应器：用于AC-DC转换器中，提高转换效率并减小体积，常见于服务器、计算机和工业电源中。 2. 电机驱动：在变频器和电机控制电路中作为功率开关，实现对电机速度和转矩的精确控制。 3. 照明系统：如LED驱动电源，适用于高亮度LED照明的恒流电源设计。 4. 家电控制：用于洗衣机、空调等家用电器中的功率控制模块，提升能效和稳定性。 5. 新能源系统：如太阳能逆变器和储能系统中，用于DC-AC转换电路，提升系统整体效率。 该MOSFET采用TO-220封装，便于散热和安装，适合中高功率应用场景。其快速开关特性有助于降低开关损耗，提高系统效率。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N CH 600V 18A TO281 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STFI24N60M2 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ II Plus |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1060pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 190 毫欧 @ 9A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAKFP （281） |
| 其它名称 | 497-13598-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF255398?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 30W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3 整包， I²Pak |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/mdmesh-ii-plus-low-qg-power-mosfets/52036 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Tc） |
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