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IXFK74N50P2产品简介:
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IXYS品牌的IXFK74N50P2是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有较高的电流和电压承受能力,适用于高功率开关应用。其主要参数包括:漏源电压(VDS)为500V,连续漏极电流(ID)可达74A,具备较低的导通电阻(RDS(on)),从而减少功率损耗,提高效率。 该器件常见应用场景包括: 1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器等,用于高效能电能转换。 2. 电机驱动器:在工业自动化、电动汽车、电动工具中作为功率开关控制电机运行。 3. 逆变器系统:用于太阳能逆变器、UPS不间断电源中,实现直流电到交流电的高效转换。 4. 照明系统:如高强度放电灯(HID)镇流器或LED大功率照明驱动电路。 5. 工业控制设备:用于各类需要高频率开关和高耐压能力的工业控制系统中。 该MOSFET通常采用TO-247封装,便于散热,适用于高功率密度设计,适合需要高效、高可靠性的电力电子系统。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 500V 74A TO264 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | IXYS |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IXFK74N50P2 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | PolarP2™ HiPerFET™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 4mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9900pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 165nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 77 毫欧 @ 500mA,10V |
供应商器件封装 | TO-264AA (IXFK) |
功率-最大值 | 1400W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-264-3,TO-264AA |
标准包装 | 25 |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 74A (Tc) |