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Datasheet下载- 型号： IRF7749L2TR1PBF
- 制造商： International Rectifier
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IRF7749L2TR1PBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7749L2TR1PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7749L2TR1PBF价格参考。International RectifierIRF7749L2TR1PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 33A（Ta），375A（Tc） 3.3W（Ta），125W（Tc） DIRECTFET L8。您可以下载IRF7749L2TR1PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7749L2TR1PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRF7749L2TR1PBF的MOSFET，属于P沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效、低导通电阻和小封装尺寸的电源管理场景。 该器件主要适用于以下应用场景： 1. 负载开关与电源管理：常用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子设备中，作为高效率的负载开关，控制电池供电系统的通断，具有低静态电流和过热保护特性。 2. DC-DC转换器：在同步整流Buck或Boost变换器中作为高频开关元件，实现高效的电压转换，适合中低功率电源模块。 3. 电机驱动与继电器替代：可用于小型直流电机、电磁阀或继电器的控制，提供快速响应和较高的可靠性。 4. 服务器与通信设备电源系统：在通信基站、网络交换设备及服务器主板上用于优化能效和节省空间。 5. 汽车电子应用：如车载娱乐系统、车身控制模块等对可靠性和热性能有较高要求的场景。 该MOSFET采用小型化封装（如PG-TSDSO-8），具备低导通电阻（Rds(on)）、良好的热稳定性和高频工作能力，适合高密度PCB布局设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 375A DIRECTFETMOSFET 60V 200A 1.5mOhm 220nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 200 A |
| Id-连续漏极电流 | 200 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7749L2TR1PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7749L2TR1PBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 125 W |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| Qg-GateCharge | 200 nC |
| Qg-栅极电荷 | 200 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.1 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.1 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 43 ns |
| 下降时间 | 39 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 12320pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 300nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.5 毫欧 @ 120A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET L8 |
| 其它名称 | IRF7749L2TR1PBFCT |
| 功率-最大值 | 3.3W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等距 L8 |
| 封装/箱体 | DirectFET-15 L8 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 280 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 33A （Ta）， 375A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7749l2.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7749l2.spi |
| 配置 | Single |
