Datasheet下载- 型号： FQP20N06
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP20N06由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP20N06价格参考￥2.78-￥7.38。Fairchild SemiconductorFQP20N06封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQP20N06参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQP20N06 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP20N06 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。它具有 60V 的最大漏源电压 (VDS) 和 20A 的连续漏极电流 (ID)，适用于多种中低功率应用场合。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） FQP20N06 常用于开关电源的设计中，作为功率开关器件。它能够高效地控制电路中的电流和电压切换，适用于降压、升压或反激式转换器。 2. 电机驱动 该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中。通过 PWM（脉宽调制）信号控制 MOSFET 的开关状态，可以调节电机的速度和方向。 3. 负载开关 在消费电子设备中，FQP20N06 可用作负载开关，实现对不同负载的通断控制。例如，在手机充电器、平板电脑或其他便携式设备中，它可以保护电路免受过流或短路的影响。 4. 电池管理 FQP20N06 能够在电池管理系统中发挥作用，用于电池充放电路径的控制。它的低导通电阻（RDS(on) 典型值为 0.077Ω）有助于减少功耗并提高效率。 5. 逆变器和驱动器 在小型逆变器或驱动器应用中，FQP20N06 可以用于高频开关操作，将直流电转换为交流电，适用于 LED 驱动、家电控制等领域。 6. 汽车电子 虽然 FQP20N06 不是专门的车规级器件，但在一些非关键性汽车电子应用中（如车窗升降器、座椅调节等），它也可以作为开关元件使用。 7. 保护电路 FQP20N06 可用于设计过流保护、短路保护或热保护电路，确保系统在异常情况下安全运行。 总结 FQP20N06 凭借其高电流承载能力、低导通电阻以及良好的开关性能，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和小型家电等领域。选择时需注意散热设计和栅极驱动电压要求，以确保其稳定性和可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 20A TO-220MOSFET 60V N-Channel QFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP20N06QFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQP20N06 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 53 W |
| Pd-功率耗散 | 53 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 60 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 上升时间 | 45 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 590pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 60 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 53W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 12 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Tc） |
| 系列 | FQP20N06 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQP20N06_NL |
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