Datasheet下载- 型号： IRFR3303PBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR3303PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR3303PBF价格参考。International RectifierIRFR3303PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFR3303PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR3303PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRFR3303PBF的MOSFET，属于功率MOSFET器件，常用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理与DC-DC转换器：IRFR3303PBF具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适合用于同步整流、降压（Buck）或升压（Boost）转换器，广泛应用于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源模块中。 2. 电机控制：该MOSFET适用于中小型电机驱动电路，如电动工具、风扇、泵类设备等，能够实现快速开关，提高能效并减少发热。 3. 负载开关与电源分配：在需要频繁开关高电流负载的系统中，如工业自动化设备和电源管理系统中，IRFR3303PBF可作为高效的电子开关使用。 4. 电池管理系统（BMS）：在电动车、储能系统或便携式设备中，用于电池充放电控制，具备良好的热稳定性和过载保护能力。 5. 消费电子产品：如智能家电、电源适配器、LED照明驱动等，因其封装小巧、效率高，适合空间受限的设计。 总结：IRFR3303PBF是一款高性能N沟道MOSFET，适用于对效率、散热和空间有较高要求的电源与控制应用，尤其适合中高功率的开关与转换场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 33A DPAKMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 31mOhms 19.3nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 33 A |
| Id-连续漏极电流 | 33 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR3303PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR3303PBF |
| Pd-PowerDissipation | 57 W |
| Pd-功率耗散 | 57 W |
| Qg-GateCharge | 19.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 19.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 31 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 31 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
| 上升时间 | 99 ns |
| 下降时间 | 28 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 750pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 31 毫欧 @ 18A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns |
| 功率-最大值 | 57W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 正向跨导-最小值 | 9.3 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 33A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfr3303.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfr3303.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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