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Datasheet下载- 型号： ZVP1320FTA
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZVP1320FTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVP1320FTA价格参考。Diodes Inc.ZVP1320FTA封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 200V 35mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3。您可以下载ZVP1320FTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZVP1320FTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZVP1320FTA是由Diodes Incorporated生产的一款增强型P沟道功率MOSFET，主要应用于低压和低功耗场景。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和良好的热稳定性，适用于多种电子设备中的电源管理和信号切换。 应用场景： 1. 电源管理： ZVP1320FTA广泛用于DC-DC转换器、线性稳压器等电源管理电路中，特别是在需要高效能和低功耗的场合。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高系统效率。例如，在便携式电子设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，ZVP1320FTA可以用于电池管理系统，确保电池电量的有效利用。 2. 负载开关： 在各种消费电子产品和工业控制系统中，ZVP1320FTA可以用作负载开关，实现对不同负载的快速、可靠的通断控制。其高开关速度和低导通电阻使其能够在短时间内完成状态切换，同时减少能量损失。 3. 电机驱动： 该器件也适用于小型电机驱动应用，如风扇、泵和其他小型电动工具。通过精确控制电流和电压，ZVP1320FTA可以帮助实现高效的电机启动和停止，减少能耗并延长设备寿命。 4. 信号切换： 在通信设备和音频电路中，ZVP1320FTA可用于信号路径的切换，确保信号传输的稳定性和可靠性。其低电容特性有助于减少信号失真和干扰，提升整体性能。 5. 保护电路： ZVP1320FTA还可以用于过流保护、短路保护等安全电路中。其内置的ESD保护功能增强了器件的鲁棒性，能够有效防止静电损坏，提高系统的可靠性和耐用性。 总之，ZVP1320FTA凭借其优异的电气特性和广泛的适用性，成为众多低功耗、高性能应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 200V 35MA SOT23-3MOSFET P-Chnl 200V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 35 mA |
| Id-连续漏极电流 | - 35 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVP1320FTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZVP1320FTA |
| Pd-PowerDissipation | 330 mW |
| Pd-功率耗散 | 330 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 80 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 80 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 80 欧姆 @ 50mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | UZVP1320FCT |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 8 ns |
| 功率-最大值 | 330mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 80 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 200 V |
| 漏极连续电流 | - 35 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 35mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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