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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BC846BDW1T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC846BDW1T1G价格参考。ON SemiconductorBC846BDW1T1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 65V 100mA 100MHz 380mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载BC846BDW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BC846BDW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的BC846BDW1T1G是一款双极结型晶体管(BJT)阵列,属于NPN型晶体管,采用SOT-26封装,内含两个独立的BC846B晶体管。该器件具有高增益、低噪声和良好的开关特性,适用于多种模拟与数字电路场景。 典型应用场景包括: 1. 信号放大:由于其低噪声和高电流增益(hFE),常用于音频前置放大、传感器信号调理等小信号放大电路中。 2. 开关控制:在电源管理、LED驱动、继电器或马达驱动等低压开关电路中,作为高效开关元件使用。 3. 逻辑电路接口:用于电平转换或驱动负载,实现数字IC(如微控制器)与外围设备之间的接口匹配。 4. 消费类电子产品:广泛应用于手机、平板、电视、智能家居设备中的电源控制与信号处理模块。 5. 工业与汽车电子:因其可靠性和温度稳定性(工作温度范围宽),也适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等环境较严苛的场合。 BC846BDW1T1G具备小型化封装优势,适合高密度PCB布局,同时符合RoHS环保标准并具有无卤素设计,满足现代绿色电子产品的制造要求。整体上,该器件是一款性价比高、通用性强的双晶体管阵列解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 65V 100MA SOT363两极晶体管 - BJT 100mA 80V Dual NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BC846BDW1T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BC846BDW1T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 600mV @ 5mA,100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 其它名称 | BC846BDW1T1GOSCT |
| 功率-最大值 | 380mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN(双) |
| 最大功率耗散 | 380 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 65V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 系列 | BC846B |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 65 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 80 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.6 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | 100MHz |