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  • 型号: BC846BDW1T1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BC846BDW1T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC846BDW1T1G价格参考。ON SemiconductorBC846BDW1T1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 65V 100mA 100MHz 380mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载BC846BDW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BC846BDW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor(安森美)的BC846BDW1T1G是一款双极结型晶体管(BJT)阵列,属于NPN型晶体管,采用SOT-26封装,内含两个独立的BC846B晶体管。该器件具有高增益、低噪声和良好的开关特性,适用于多种模拟与数字电路场景。

典型应用场景包括:  
1. 信号放大:由于其低噪声和高电流增益(hFE),常用于音频前置放大、传感器信号调理等小信号放大电路中。  
2. 开关控制:在电源管理、LED驱动、继电器或马达驱动等低压开关电路中,作为高效开关元件使用。  
3. 逻辑电路接口:用于电平转换或驱动负载,实现数字IC(如微控制器)与外围设备之间的接口匹配。  
4. 消费类电子产品:广泛应用于手机、平板、电视、智能家居设备中的电源控制与信号处理模块。  
5. 工业与汽车电子:因其可靠性和温度稳定性(工作温度范围宽),也适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等环境较严苛的场合。

BC846BDW1T1G具备小型化封装优势,适合高密度PCB布局,同时符合RoHS环保标准并具有无卤素设计,满足现代绿色电子产品的制造要求。整体上,该器件是一款性价比高、通用性强的双晶体管阵列解决方案。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS DUAL NPN 65V 100MA SOT363两极晶体管 - BJT 100mA 80V Dual NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BC846BDW1T1G-

数据手册

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产品型号

BC846BDW1T1G

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

600mV @ 5mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

200 @ 2mA,5V

产品目录页面

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SC-88/SC70-6/SOT-363

其它名称

BC846BDW1T1GOSCT

功率-最大值

380mW

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SC-70-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

2 NPN(双)

最大功率耗散

380 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.1 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

65V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流集电极/BaseGainhfeMin

200

系列

BC846B

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

65 V

集电极—基极电压VCBO

80 V

集电极—射极饱和电压

0.6 V

集电极连续电流

0.1 A

频率-跃迁

100MHz

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