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Datasheet下载- 型号： STD85N3LH5
- 制造商： STMicroelectronics
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STD85N3LH5产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STD85N3LH5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD85N3LH5价格参考。STMicroelectronicsSTD85N3LH5封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 30V 80A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount DPAK。您可以下载STD85N3LH5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STD85N3LH5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STD85N3LH5是一款N沟道增强型MOSFET，属于高性能、低导通电阻的功率MOSFET器件，广泛应用于需要高效率和高电流处理能力的场合。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等，因其低导通电阻（Rds(on)）可有效降低导通损耗，提升电源转换效率。 2. 电机驱动：常用于工业控制、电动工具、电动车及家用电器中的直流电机或步进电机驱动电路，能够承受较高的脉冲电流，确保驱动稳定可靠。 3. 电池管理系统（BMS）：在锂离子电池保护板中作为充放电控制开关，利用其快速开关特性和低损耗特性，提高系统安全性和能效。 4. 照明系统：用于LED驱动电源中，特别是在大功率LED照明应用中，有助于实现高效恒流控制。 5. 逆变器与UPS：在不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等设备中作为功率开关元件，支持高频切换，提升整体系统效率。 6. 汽车电子：符合AEC-Q101标准，适合车载应用，如车载充电器、车灯控制、风扇电机驱动等，具备良好的温度稳定性和可靠性。 该器件采用先进的STripFET™ V技术，具有优异的热性能和电流处理能力，封装形式为TO-220或类似，便于散热设计。总体而言，STD85N3LH5适用于对效率、功率密度和可靠性要求较高的中高功率电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 80A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | STD85N3LH5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | STripFET™ V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1850pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 毫欧 @ 40A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | 497-7976-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1164/PF174524?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 70W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
