Datasheet下载- 型号： SI4778DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4778DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4778DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4778DY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4778DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4778DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4778DY-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件具有低导通电阻、高可靠性和小型封装，适用于对空间和效率要求较高的电子设备。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于 DC-DC 转换器、电池充电与放电管理电路中，实现高效能电能转换。 2. 负载开关：在便携式电子产品（如智能手机、平板电脑）中作为负载开关，控制电源通断，降低待机功耗。 3. 马达驱动：用于小型电机控制电路中，作为功率开关元件。 4. 保护电路：在过流、过压保护电路中作为开关元件，实现快速响应与切断。 5. 工业控制：用于工业自动化设备中的开关控制与功率调节。 其小型封装（如 TSOP）和良好的热性能使其适用于高密度 PCB 设计，适合表面贴装工艺，提升生产效率。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 8A 8-SOICMOSFET 25V 8.0A 5.0W 23mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4778DY-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4778DY-T1-GE3SI4778DY-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 2.4 W |
| Pd-功率耗散 | 2.4 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 23 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 680pF @ 13V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 23 毫欧 @ 7A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4778DY-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 23 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 25 V |
| 漏极连续电流 | 8 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A （Tc） |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI4778DY-GE3 |
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