【晶体管 - FET，MOSFET - 单_BSC016N06NSATMA1】封装/厂家_BSC016N06NSATMA1中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > BSC016N06NSATMA1

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： BSC016N06NSATMA1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BSC016N06NSATMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSC016N06NSATMA1价格参考。InfineonBSC016N06NSATMA1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 60V 30A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8 FL。您可以下载BSC016N06NSATMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSC016N06NSATMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies（英飞凌）的BSC016N06NSATMA1是一款N沟道MOSFET，属于高性能功率MOSFET产品系列，广泛应用于需要高效、低损耗开关性能的场景。其主要应用场景包括：

1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC电源适配器，因其低导通电阻（RDS(on)）可减少能量损耗，提高能效。

2. 电机驱动：常用于电动工具、家用电器及工业控制中的小型电机驱动电路，提供快速开关响应和良好的热稳定性。

3. 照明系统：在LED驱动电源中作为开关元件，支持高频率工作，有助于实现紧凑型高效设计。

4. 消费电子：如笔记本电脑、显示器、充电器等设备的电源模块中，满足对小型化和高效率的需求。

5. 汽车电子：适用于车载辅助电源系统或车身控制模块中的低功率负载开关，具备良好的可靠性和温度耐受性。

该器件采用PG-TSDS-6封装，具有优异的散热性能和空间利用率，适合高密度PCB布局。其60V耐压和低栅极电荷特性，使其在高频开关应用中表现优异，是节能与高性能设计的理想选择。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
Id-ContinuousDrainCurrent	100 A
Id-连续漏极电流	100 A
品牌	Infineon Technologies
产品目录	半导体
描述	MOSFET MV POWER MOS
产品分类	分离式半导体
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSC016N06NSATMA1
产品型号	BSC016N06NSATMA1
Pd-PowerDissipation	139 W
Pd-功率耗散	139 W
Qg-GateCharge	71 nC
Qg-栅极电荷	71 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	1.6 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	1.6 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	60 V
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	2.8 V
Vgsth-栅源极阈值电压	2.8 V
上升时间	9 ns
下降时间	9 ns
产品种类	MOSFET
典型关闭延迟时间	35 ns
商标	Infineon Technologies
商标名	OptiMOS
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/箱体	DSON-8
工厂包装数量	5000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
正向跨导-最小值	140 S / 70 S
系列	BSC016N06
配置	Single Quad Drain Triple Source
零件号别名	SP000924882