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产品简介:
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瑞萨电子(Renesas Electronics America)的RJK5018DPK-00#T0是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于单N沟道功率MOSFET。该器件广泛应用于需要高效、高速开关性能的电路中。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、电源适配器、电池充电器等,实现高效的能量转换。 2. 电机控制:在电动工具、家用电器和工业自动化设备中,作为电机驱动电路中的开关元件。 3. 负载开关:用于控制电源对负载的供给,如在服务器、计算机和通信设备中作为电源开关。 4. 逆变器与变频器:在UPS(不间断电源)、太阳能逆变器等系统中,作为功率转换的核心元件。 5. 汽车电子:如车载充电系统、电动助力转向系统等,满足汽车中高可靠性和高效率的要求。 该MOSFET具有低导通电阻、高耐压和良好热性能,适合高频开关操作,有助于提高系统效率并减小电路体积。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 35A TO3P |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | RJK5018DPK-00#T0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4100pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 104nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 155 毫欧 @ 17.5A, 10V |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 功率-最大值 | 200W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 35A (Ta) |