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  • 型号: STP12N65M5
  • 制造商: STMicroelectronics
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STP12N65M5产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STP12N65M5由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP12N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTP12N65M5封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 650V 8.5A(Tc) 70W(Tc) TO-220AB。您可以下载STP12N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP12N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics的STP12N65M5是一款N沟道增强型功率MOSFET,其主要应用场景包括但不限于以下几个方面:

 1. 开关电源(SMPS)
   - STP12N65M5适用于各种开关电源设计,例如直流-直流转换器(DC-DC)、反激式变换器、正激式变换器等。其高电压耐受能力(650V)和低导通电阻(典型值为1.9Ω)使其能够高效地切换电流,减少能量损耗。
   - 可用于笔记本适配器、手机充电器和其他消费类电子设备的电源管理。

 2. 电机驱动
   - 该器件可用于小型电机驱动电路中,例如家用电器(如风扇、吸尘器)或工业自动化中的步进电机和无刷直流电机(BLDC)控制。
   - 其快速开关特性和低导通电阻有助于提高电机运行效率并降低发热量。

 3. 逆变器与太阳能系统
   - 在光伏逆变器或其他可再生能源相关应用中,STP12N65M5可用作功率级开关元件,实现高效的直流-交流转换。
   - 它的高击穿电压(650V)特别适合需要处理较高输入电压的场景。

 4. 负载开关
   - 作为负载开关使用时,STP12N65M5可以精确地控制电路中负载的通断状态,同时提供过流保护功能。
   - 常见于汽车电子、LED照明以及电池管理系统(BMS)中。

 5. 脉宽调制(PWM)控制器
   - 在音频放大器、LED驱动器等需要PWM信号调节的应用中,STP12N65M5可以用作输出级开关,以实现对输出功率的精准控制。

 6. 保护电路
   - 由于其良好的电气特性,该MOSFET也可用作过压、过流或短路保护开关,在保护敏感电路免受异常情况影响的同时保持系统稳定运行。

总结来说,STP12N65M5凭借其高耐压、低导通电阻和优异的动态性能,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备及绿色能源等领域,是许多功率转换和控制应用的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

STMicroelectronics

数据手册

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产品图片

产品型号

STP12N65M5

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

MDmesh™ V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

900pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

22nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

430 毫欧 @ 4.3A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=21007

产品目录页面

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供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

497-10304-5

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF223329?referrer=70071840

功率-最大值

70W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3

工具箱

/product-detail/zh/497-8012-KIT/497-8012-KIT-ND/2340669

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

650V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8.5A (Tc)

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