Datasheet下载- 型号： IRFZ44ESPBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFZ44ESPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFZ44ESPBF价格参考。International RectifierIRFZ44ESPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFZ44ESPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFZ44ESPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）旗下的型号为IRFZ44ESPBF的MOSFET，属于N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于多种电力电子场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：IRFZ44ESPBF常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电源适配器中，因其具备低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，有助于提高电源转换效率并减少发热。 2. 电机控制：该器件适用于直流电机驱动和步进电机控制电路，能够承受较高的电流和频繁的开关操作，适用于工业自动化设备和电动工具。 3. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）和逆变器中，IRFZ44ESPBF用于将直流电转换为交流电，其高耐压和良好热稳定性保障了系统在高负载下的可靠运行。 4. 汽车电子：该MOSFET符合AEC-Q101汽车级标准，适合用于汽车中的负载开关、照明控制及电池管理系统等场景。 5. 负载开关与继电器替代：由于其具备较高的耐用性和响应速度，IRFZ44ESPBF可用于替代传统机械继电器，在智能电表、家电和工业控制系统中实现高效、长寿命的电子开关功能。 综上，IRFZ44ESPBF凭借其优异的性能和可靠性，广泛应用于电源、工业控制、汽车电子等多个领域，是一款多功能的功率MOSFET器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 48A D2PAKMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 40nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 48 A |
| Id-连续漏极电流 | 48 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFZ44ESPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFZ44ESPBF |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 40 nC |
| Qg-栅极电荷 | 40 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 23 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 23 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 60 ns |
| 下降时间 | 70 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1360pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 23 毫欧 @ 29A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | *IRFZ44ESPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 70 ns |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 48A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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