ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > C2M0025120D
/C2M0025120D.jpg)
Datasheet下载- 型号： C2M0025120D
- 制造商： Cree
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供C2M0025120D由Cree设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 C2M0025120D价格参考￥483.21-￥483.21。CreeC2M0025120D封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 1200V 90A（Tc） 463W（Tc） TO-247-3。您可以下载C2M0025120D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有C2M0025120D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Cree/Wolfspeed 型号为 C2M0025120D 的晶体管是一款1200V、25A的碳化硅（SiC）MOSFET，属于高性能功率半导体器件。该产品基于碳化硅材料技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性，适用于高效率、高频率和高温工作环境。 其主要应用场景包括： 1. 新能源汽车：用于车载充电机（OBC）、DC-DC转换器等电力转换系统，提升能效并减小系统体积。 2. 光伏逆变器：在太阳能发电系统中，作为核心开关元件，提高逆变效率，降低能量损耗，适应高温户外运行环境。 3. 工业电机驱动：应用于高压变频器和伺服驱动器，实现高效电能转换与精确控制。 4. 储能系统：在电池储能系统的双向逆变器中发挥关键作用，支持快速充放电和高可靠性运行。 5. 充电桩：广泛用于电动汽车直流快充桩的功率模块，满足高功率密度和高效率需求。 6. 电源设备：如高端开关电源（SMPS）和不间断电源（UPS），可显著提升转换效率并减少散热设计复杂度。 得益于碳化硅材料的优势，C2M0025120D能够在比传统硅基MOSFET更高的电压和温度下高效运行，大幅降低开关损耗，是现代高功率、高能效电力电子系统的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | SIC MOSFET N-CH 1200V 90A TO-247MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 25 mOhm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | SiCFET N 通道，碳化硅 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 90 A |
| Id-连续漏极电流 | 90 A |
| 品牌 | Cree, Inc. |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Cree, Inc. C2M0025120DZ-FET™ |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | C2M0025120D |
| Pd-PowerDissipation | 463 W |
| Pd-功率耗散 | 463 W |
| Qg-GateCharge | 406 nC |
| Qg-栅极电荷 | 406 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 25 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 25 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1.2 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.2 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 10 V, + 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 10 V, + 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.4 V |
| 上升时间 | 31.6 ns |
| 下降时间 | 28.4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 10mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2788pF @ 1000V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 161nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 34 毫欧 @ 50A， 20V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 典型关闭延迟时间 | 28.8 ns |
| 功率-最大值 | 463W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Cree, Inc. |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 技术 | SiC |
| 技术类型 | - |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 23.6 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 1200V（1.2kV） |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/c2m-family-of-silicon-carbide-power-mosfets/52365 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 90A （Tc） |
| 相关产品 | /product-detail/zh/CRD-001/CRD-001-ND/4199824 |
| 负载电压 | 800 V |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
