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STFW3N150产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STFW3N150由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STFW3N150价格参考。STMicroelectronicsSTFW3N150封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 1500V 2.5A(Tc) 63W(Tc) ISOWATT-218FX。您可以下载STFW3N150参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STFW3N150 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的型号STFW3N150是一种高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于单通道FET类别。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - STFW3N150适用于开关电源中的高频开关应用,例如DC-DC转换器、AC-DC适配器等。 - 其高耐压特性(1500V额定电压)使其能够处理高压输入,适合工业级或商业级电源设备。 2. 逆变器 - 在太阳能逆变器或电机驱动逆变器中,该器件可以用于将直流电转换为交流电。 - 高压和低导通电阻的特点有助于提高效率并减少能量损耗。 3. 电机控制 - 用于高压电机驱动系统,例如电动工具、家用电器或工业设备中的电机控制。 - 能够承受较高的电压波动,确保系统的稳定性和可靠性。 4. 固态继电器 - 可替代传统机械继电器,在需要频繁开关的场景中使用,例如工业自动化控制、家电保护电路等。 - 提供更快的开关速度和更长的使用寿命。 5. 电力保护电路 - 在过压保护、过流保护或短路保护电路中,STFW3N150可以用作关键的开关元件。 - 其高耐压能力使其能够在极端条件下可靠运行。 6. 脉冲功率应用 - 适用于需要快速开关和高电压承受能力的脉冲功率电路,例如激光器驱动、放电灯镇流器等。 7. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV) - 在车载充电器(OBC)、DC-DC转换器或辅助电源模块中,该器件可以提供高效且可靠的性能。 总结 STFW3N150凭借其高耐压(1500V)、低漏电流和良好的热稳定性,非常适合高压、高频和高效率的应用场景。它广泛应用于工业、消费电子、能源管理和交通运输等领域,特别是在需要高压开关和精确控制的场合表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3PFMOSFET N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STFW3N150PowerMESH™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STFW3N150 |
| Pd-PowerDissipation | 63 W |
| Pd-功率耗散 | 63 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1.5 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.5 kV |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 939pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29.3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9 欧姆 @ 1.3A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-3PF |
| 其它名称 | 497-10005-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF209189?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 63W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3PF |
| 封装/箱体 | TO-3PF-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1500V(1.5kV) |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ST/MOSFET.html |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.5A (Tc) |
| 系列 | STFW3N150 |