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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTLJS3113PTAG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTLJS3113PTAG价格参考。ON SemiconductorNTLJS3113PTAG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTLJS3113PTAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTLJS3113PTAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTLJS3113PTAG 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,常用于中低功率的开关应用。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、电源开关和负载开关,用于高效能电源管理系统中,如笔记本电脑、平板和智能手机的电源控制。 2. 电机控制:用于小型电机驱动电路中,如电动工具、风扇和泵的控制,具备良好的导通电阻和开关特性,有助于提高系统效率。 3. 照明系统:在LED照明驱动电路中作为开关元件,适用于需要调光或频繁开关的场合。 4. 汽车电子:用于车载电源系统、车灯控制和辅助电机控制等场景,具备一定的可靠性和温度耐受能力。 5. 工业自动化:常见于PLC(可编程逻辑控制器)、继电器替代和传感器驱动电路中,适合需要快速开关和较高稳定性的工业环境。 该器件采用TDFN封装,体积小、便于散热,适合高密度PCB布局。由于其良好的性能和广泛的工作温度范围,适用于多种中低功率应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFNMOSFET PFET 20V 9.5A 42MOHM 2X2 |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 5.8 A |
Id-连续漏极电流 | 5.8 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTLJS3113PTAG- |
数据手册 | |
产品型号 | NTLJS3113PTAG |
PCN过时产品 | |
Pd-PowerDissipation | 1900 mW |
Pd-功率耗散 | 1.9 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 40 mOhms at 4.5 V |
RdsOn-漏源导通电阻 | 42 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
上升时间 | 17.5 ns |
下降时间 | 17.5 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1329pF @ 16V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15.7nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 40 毫欧 @ 3A,4.5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 6-WDFN(2x2) |
典型关闭延迟时间 | 60 ns |
功率-最大值 | 700mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
封装/箱体 | WDFN-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.5A (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Quad Drain |