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产品简介:
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STMicroelectronics(意法半导体)的STW25NM50N是一款N沟道增强型功率MOSFET,常用于高电压和中高功率应用场景。该器件具有500V的漏源击穿电压(VDS)和25A的连续漏极电流能力,具备良好的导通电阻与开关性能平衡,适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。 典型应用场景包括: 1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC适配器,用于高效电能转换。 2. 电机驱动:工业自动化设备、电动工具及家电中的电机控制电路。 3. 照明系统:高频镇流器、LED照明驱动电源等。 4. 逆变器与UPS系统:不间断电源(UPS)和太阳能逆变器中用于直流到交流的电能转换。 5. 消费电子与工业控制:如变频器、电焊机、感应加热设备等。 该MOSFET采用TO-247封装,便于散热和安装,适合在较高功率密度设计中使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 22A TO-247 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | STW25NM50N |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ II |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2565pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 84nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 140 毫欧 @ 11A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 其它名称 | 497-4675-5 |
| 功率-最大值 | 160W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 22A (Tc) |