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  • 型号: BUK7880-55A,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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BUK7880-55A,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BUK7880-55A,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK7880-55A,115价格参考。NXP SemiconductorsBUK7880-55A,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 55V 7A(Tc) 8W(Tc) SOT-223。您可以下载BUK7880-55A,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK7880-55A,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc.生产的BUK7880-55A,115是一款晶体管,具体为FET(场效应晶体管)中的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),且属于单通道设计。该型号的应用场景主要集中在以下几个方面:

 1. 电源管理
   - 开关电源(SMPS):BUK7880-55A,115适用于各种开关电源电路,如AC-DC或DC-DC转换器。其低导通电阻和高开关速度特性能够提高效率并减少能量损耗。
   - 电压调节模块(VRM):用于计算机主板、服务器和其他电子设备中的电压调节,确保输出电压稳定。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制:可用于驱动小型直流电机,支持高效启动、停止及调速操作。
   - 步进电机与伺服电机:在需要精确控制的场合下,例如打印机、扫描仪或工业自动化设备中,该MOSFET可以作为功率级元件。

 3. 负载切换
   - 负载开关:在便携式设备(如智能手机、平板电脑等)中用作负载开关,实现快速开启/关闭功能,同时降低待机功耗。
   - 继电器替代方案:由于其固态特性和长寿命优势,可替代传统机械继电器用于频繁切换的应用。

 4. 电池管理系统(BMS)
   - 充放电保护:在锂电池或镍氢电池组中,用于监控和控制充放电过程,防止过充、过放及短路现象发生。
   - 均衡电路:帮助平衡多节串联电池之间的电压差异,延长整体使用寿命。

 5. 信号放大与缓冲
   - 在某些音频设备或传感器接口中,该MOSFET可以用作信号放大器或缓冲器,提供足够的电流驱动能力而不失真。

综上所述,BUK7880-55A,115凭借其优良的电气性能,在消费类电子产品、通信设备、汽车电子以及工业控制等领域均有广泛的应用潜力。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 55V 7A SOT-223MOSFET Trans MOSFET N-CH 55V 7A 4-Pin (3+Tab)

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

7 A

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK7880-55A,115TrenchMOS™

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产品型号

BUK7880-55A,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

8 W

Pd-功率耗散

8 W

Qg-GateCharge

12 nC

Qg-栅极电荷

12 nC

RdsOn-漏源导通电阻

148 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

55 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4.4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4.4 V

上升时间

52 ns

下降时间

9 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

500pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

12nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

80 毫欧 @ 10A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SC-73

其它名称

568-9712-6

典型关闭延迟时间

17 ns

功率-最大值

8W

包装

Digi-Reel®

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

148 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

封装/箱体

SC-73-4

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

55 V

漏极连续电流

7 A

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single Dual Drain

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