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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STF35N65M5由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF35N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTF35N65M5封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STF35N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STF35N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STF35N65M5是一款N沟道功率MOSFET,其应用场景广泛,主要适用于需要高效开关和低导通电阻的电力电子系统。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) STF35N65M5适合用于开关电源中的高频开关器件,例如AC-DC或DC-DC转换器。其650V的击穿电压能够承受高电压输入,而35mΩ的导通电阻则有助于降低功耗,提高转换效率。 2. 电机驱动 该MOSFET可用于工业和消费类电机驱动应用中,例如家用电器、电动工具和小型工业设备。其快速开关特性和低导通损耗使其在PWM控制中表现优异。 3. 逆变器 在太阳能逆变器或不间断电源(UPS)中,STF35N65M5可以作为主开关管使用,实现高效的直流到交流转换。其耐压能力和低损耗特性非常适合这些高可靠性要求的应用。 4. 负载开关 由于其低导通电阻和高电流承载能力,STF35N65M5可作为负载开关,用于保护电路免受过流或短路的影响,同时减少电压降。 5. PFC电路(功率因数校正) 在功率因数校正电路中,这款MOSFET可以用作升压开关,帮助提升系统的功率因数,满足严格的能效标准。 6. 电池管理系统(BMS) 在电动汽车或储能系统的电池管理中,STF35N65M5可用作充电/放电路径的开关,确保安全高效的电池操作。 7. 照明系统 该器件也可用于LED驱动器或高压气体放电灯(HID)等照明应用中,提供稳定的电流输出并减少能量损失。 总之,STF35N65M5凭借其高耐压、低导通电阻和出色的热性能,在各种功率转换和控制场景中表现出色,是许多工业和消费电子产品的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 650V 27A TO-220FPMOSFET POWER MOSFET N-CH 650V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 27 A |
Id-连续漏极电流 | 27 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF35N65M5MDmesh™ V |
数据手册 | |
产品型号 | STF35N65M5 |
Pd-PowerDissipation | 40 W |
Pd-功率耗散 | 40 W |
Qg-GateCharge | 83 nC |
Qg-栅极电荷 | 83 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 98 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 98 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
上升时间 | 12 ns |
下降时间 | 16 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3750pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 83nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 98 毫欧 @ 13.5A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220FP |
其它名称 | 497-11397-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF221166?referrer=70071840 |
典型关闭延迟时间 | 60 ns |
功率-最大值 | 40W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 98 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 650 V |
漏极连续电流 | 27 A |
漏源极电压(Vdss) | 650V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 27A (Tc) |
系列 | STF35N65M5 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |