ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > BD435S
Datasheet下载- 型号： BD435S
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BD435S由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BD435S价格参考。Fairchild SemiconductorBD435S封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 32V 4A 3MHz 36W 通孔 TO-126。您可以下载BD435S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BD435S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 32V 4A TO-126 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BD435S |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 200mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | TO-126 |
| 功率-最大值 | 36W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 32V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 4A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100µA |
| 频率-跃迁 | 3MHz |
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