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FCPF380N60E产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FCPF380N60E由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCPF380N60E价格参考¥14.08-¥14.08。Fairchild SemiconductorFCPF380N60E封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 10.2A(Tc) 31W(Tc) TO-220F。您可以下载FCPF380N60E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FCPF380N60E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FCPF380N60E 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,主要应用于高效率、高功率的电源转换系统。其额定电压为600V,最大连续漏极电流可达38A,具备低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于需要高效能和紧凑设计的场合。 该器件常见于以下应用场景: 1. 电源供应器:如AC-DC适配器、服务器电源、工业电源等,用于提高转换效率并减少发热。 2. 电机驱动:在变频器或伺服驱动器中作为功率开关使用,控制电机的运行状态。 3. 照明系统:例如LED路灯或大功率照明设备中的电源管理模块。 4. 新能源领域:如太阳能逆变器、储能系统中的DC-DC转换器等,发挥其高耐压与高效率优势。 5. 家电控制:高端家电产品中的马达控制或加热元件控制电路。 由于其封装形式为TO-247,具有良好的散热性能,适用于中高功率应用的设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 600V TO-220-3MOSFET 600V N-CHAN MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 10.2 A |
Id-连续漏极电流 | 10.2 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FCPF380N60ESuperFETII® |
数据手册 | |
产品型号 | FCPF380N60E |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 106 W |
Pd-功率耗散 | 106 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 380 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 380 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1770pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 380 毫欧 @ 5A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220-3 |
功率-最大值 | 31W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 2.270 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-semiconductor-superfet-mosfets/4170http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10.2A (Tc) |
系列 | FCPF380N60 |