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  • 型号: STP80NF03L-04
  • 制造商: STMicroelectronics
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STP80NF03L-04产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STP80NF03L-04由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP80NF03L-04价格参考。STMicroelectronicsSTP80NF03L-04封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB。您可以下载STP80NF03L-04参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP80NF03L-04 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 80A TO-220MOSFET N-Ch 30 Volt 80 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

80 A

Id-连续漏极电流

80 A

品牌

STMicroelectronics

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP80NF03L-04STripFET™ II

数据手册

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产品型号

STP80NF03L-04

Pd-PowerDissipation

300 W

Pd-功率耗散

300 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

4 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

4 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

270 ns

下降时间

95 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5500pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

110nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.5 毫欧 @ 40A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

497-2676-5
STP80NF03L04

典型关闭延迟时间

110 ns

功率-最大值

300W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

50 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

80A (Tc)

系列

STP80NF03L

通道模式

Enhancement

配置

Single

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