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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIS454DN-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIS454DN-T1-GE3价格参考。VishaySIS454DN-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SIS454DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIS454DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIS454DN-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,常用于各种电源管理和开关应用。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关,因其低导通电阻和高效能,有助于提高电源转换效率。 2. 电池供电设备:广泛应用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携设备中,用于电池保护和电源切换。 3. 电机控制:用于小型电机驱动电路,提供快速开关响应和良好的热稳定性。 4. 负载开关与继电器替代:作为固态开关用于控制电源线路,具有无磨损、寿命长的优点。 5. 汽车电子:用于车载电源系统、LED 照明控制和车载充电器等场景,符合汽车级可靠性要求。 该器件采用小型封装(如 PowerPAK SO-8),适合高密度 PCB 设计,具备良好的热性能和耐用性,适用于中低功率开关应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8 PPAKMOSFET 20V 35A N-CH MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 35 A |
Id-连续漏极电流 | 35 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIS454DN-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SIS454DN-T1-GE3SIS454DN-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 52 W |
Pd-功率耗散 | 52 W |
Qg-GateCharge | 35 nC |
Qg-栅极电荷 | 35 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 3 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 3 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V to 2.2 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V to 2.2 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1900pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 53nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.7 毫欧 @ 20A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
其它名称 | SIS454DN-T1-GE3CT |
功率-最大值 | 52W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 70 S |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 35A (Tc) |
系列 | SISxxxDN |
配置 | Single |
零件号别名 | SIS454DN-GE3 |