Datasheet下载- 型号： SI4483EDY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4483EDY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4483EDY-T1-E3价格参考。VishaySI4483EDY-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4483EDY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4483EDY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4483EDY-T1-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于需要高效功率控制的电子设备中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的 DC-DC 转换器与负载开关，实现高效的电能分配与管理。 2. 电池供电系统：常见于便携式电子产品（如智能手机、平板电脑）中，用于电池保护电路和电源切换，因其低导通电阻可减少功耗并提升续航能力。 3. 电机驱动与负载控制：在小型电机、风扇或继电器控制中作为开关元件，具备快速响应和高可靠性。 4. 汽车电子：用于车载电源系统、LED 照明控制及车身控制模块，满足对空间紧凑和性能稳定的要求。 5. 工业自动化：在 PLC、传感器模块及工业电源中实现精确的功率调节与保护功能。 该器件采用小型封装（如 TSOP），适合高密度 PCB 设计，并具备良好的热稳定性与耐用性，适用于多种中低功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOICMOSFET 30V 14A 3.0W 8.5mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72862 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4483EDY-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4483EDY-T1-E3SI4483EDY-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8.5 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 上升时间 | 20000 ns |
| 下降时间 | 20000 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.5 毫欧 @ 14A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4483EDY-T1-E3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 42000 ns |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 8.5 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 10 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI4483EDY-E3 |
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