Datasheet下载- 型号： IXTQ96N25T
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTQ96N25T由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTQ96N25T价格参考。IXYSIXTQ96N25T封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXTQ96N25T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTQ96N25T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTQ96N25T是一款N沟道功率MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），具有高电流、高电压和低导通电阻的特点。其额定电压为250V，连续漏极电流可达96A，适用于高功率开关应用。 该器件广泛应用于工业电源系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和逆变器中，因其优异的开关性能和热稳定性，能有效提升电源效率并降低功耗。同时，IXTQ96N25T也常用于电机驱动系统，包括交流/直流电机控制、电动工具和工业自动化设备，能够承受高瞬态电流并提供可靠的开关控制。 此外，该MOSFET还适用于新能源领域，如太阳能逆变器和风能转换系统，在这些场景中承担能量转换与调节的关键角色。其坚固的封装设计（通常为TO-247）具备良好的散热性能，适合在高温、高负载环境下稳定运行。 由于具备快速开关速度和较低的栅极电荷，IXTQ96N25T有助于减少开关损耗，提高系统整体能效，因此也常见于高频率工作的电力电子设备中。总之，这款MOSFET适用于对功率密度、效率和可靠性要求较高的工业与能源应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 96A TO-3PMOSFET 96 Amps 250V 36 Rds |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 96 A |
| Id-连续漏极电流 | 96 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTQ96N25TTrenchHV™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTQ96N25T |
| Pd-PowerDissipation | 625 W |
| Pd-功率耗散 | 625 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 29 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 29 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 250 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 22 ns |
| 下降时间 | 28 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6100pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 114nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 29 毫欧 @ 500mA， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 典型关闭延迟时间 | 59 ns |
| 功率-最大值 | 625W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 5.500 g |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-3P-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 96A （Tc） |
| 系列 | IXTQ96N25 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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