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IRFU5410PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFU5410PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFU5410PBF价格参考。International RectifierIRFU5410PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 P 沟道 100V 13A(Tc) 66W(Tc) IPAK(TO-251)。您可以下载IRFU5410PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFU5410PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRFU5410PBF是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是该型号的主要应用场景: 1. 电源管理 - 开关电源(SMPS):用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等场合,作为高频开关元件,提供高效的能量转换。 - 电压调节模块(VRM):在计算机主板、显卡和其他电子设备中,用于动态调节电压以满足不同负载需求。 2. 电机驱动 - 直流电机控制:用于小型直流电机的启动、停止和速度控制,适用于家用电器、电动工具和工业自动化设备。 - 无刷直流电机(BLDC)驱动:作为半桥或全桥电路的一部分,用于控制BLDC电机的换向和转速。 3. 电池管理系统(BMS) - 在电动汽车、电动自行车和便携式设备的电池保护电路中,用作充放电路径的开关,确保电池的安全运行。 4. 逆变器和UPS系统 - 太阳能逆变器:将直流电转换为交流电,用于家庭或工业太阳能发电系统。 - 不间断电源(UPS):在市电中断时,快速切换到备用电池供电,保障关键设备的正常运行。 5. 负载开关 - 在消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑,用作负载开关以实现电源的快速通断,同时减少功耗。 6. 照明系统 - LED驱动电路:用于高亮度LED灯具的恒流驱动,确保LED亮度稳定并延长使用寿命。 - 荧光灯镇流器:在电子镇流器中用作开关元件,实现高效点亮和调节。 7. 汽车电子 - 车载电子设备:如车窗升降器、雨刷控制器和座椅加热器等,利用其高可靠性和耐高温特性。 - 新能源汽车:在电池管理系统、车载充电器和辅助驱动电路中发挥重要作用。 特性优势 - 低导通电阻(Rds(on)):降低传导损耗,提高效率。 - 高击穿电压:支持更高的工作电压,增强系统安全性。 - 快速开关能力:适合高频应用,减少开关损耗。 综上所述,IRFU5410PBF凭借其优异的性能,广泛应用于各种电力电子领域,尤其是在需要高效能量转换和精确控制的场景中表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET P-CH 100V 13A I-PAKMOSFET MOSFT P-Ch -100V -13A 205mOhm 38.7nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 13 A |
Id-连续漏极电流 | - 13 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFU5410PBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFU5410PBF |
Pd-PowerDissipation | 66 W |
Pd-功率耗散 | 66 W |
Qg-GateCharge | 38.7 nC |
Qg-栅极电荷 | 38.7 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 205 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 205 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 760pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 58nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 205 毫欧 @ 7.8A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | I-Pak |
其它名称 | *IRFU5410PBF |
功率-最大值 | 66W |
功率耗散 | 66 W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 205 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB |
封装/箱体 | IPAK-3 |
工厂包装数量 | 75 |
晶体管极性 | P-Channel |
栅极电荷Qg | 38.7 nC |
标准包装 | 75 |
汲极/源极击穿电压 | - 100 V |
漏极连续电流 | - 13 A |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 13A (Tc) |
闸/源击穿电压 | 20 V |