Datasheet下载- 型号： TK6P60W,RVQ
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK6P60W,RVQ由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK6P60W,RVQ价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK6P60W,RVQ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TK6P60W,RVQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK6P60W,RVQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage生产的型号为TK6P60W,RVQ的晶体管属于FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别，具体为单个MOSFET器件。以下是该型号可能的应用场景： 1. 电源管理 - 用于开关电源（SMPS）中的功率转换和调节。 - 在DC-DC转换器中作为开关元件，实现高效的电压转换。 - 适用于电池充电电路，控制充电电流和电压。 2. 电机驱动 - 用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，控制电机的启动、停止和速度。 - 在H桥电路中，配合其他MOSFET实现电机的正转和反转。 3. 负载开关 - 作为负载开关，用于控制电子设备中不同负载的通断。 - 应用于便携式设备（如智能手机、平板电脑等）的电源管理模块。 4. 保护电路 - 在过流保护电路中，用作限流或切断元件。 - 实现短路保护功能，防止电路因过载而损坏。 5. 信号切换 - 用于音频、视频或其他信号的切换，提供低导通电阻以减少信号失真。 - 在多路复用器中，作为信号通道的选择开关。 6. 逆变器 - 在小型逆变器中，作为功率开关，将直流电转换为交流电。 - 适用于太阳能微逆变器或其他低功率逆变应用。 7. 照明控制 - 用于LED驱动电路，调节LED的亮度或实现调光功能。 - 控制高效节能灯的开关和亮度调节。 特性优势： - 低导通电阻：降低功耗，提高效率。 - 高耐压能力：支持高达60V的工作电压，适合多种应用场景。 - 快速开关特性：适用于高频电路设计。 综上，TK6P60W,RVQ广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域，特别是在需要高效功率转换和精确控制的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 700 pF |
| 描述 | MOSFET N CH 600V 6.2A DPAKMOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 超级结 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.2 A |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK6P60W |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TK6P60W,RVQ- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK6P60W |
| 产品型号 | TK6P60W,RVQTK6P60W,RVQ |
| Pd-PowerDissipation | 60 W |
| Pd-功率耗散 | 60 W |
| Qg-GateCharge | 12 nC |
| Qg-栅极电荷 | 12 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 680 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 680 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.7 V to 3.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.7 V to 3.7 V |
| 上升时间 | 18 ns |
| 下降时间 | 7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 310µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 390pF @ 300V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 820 毫欧 @ 3.1A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 其它名称 | TK6P60WRVQDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 55 ns |
| 功率-最大值 | 60W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 680 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 6.2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.2A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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