Datasheet下载- 型号： SSM3J328R,LF
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SSM3J328R,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM3J328R,LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM3J328R,LF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SSM3J328R,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SSM3J328R,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SSM3J328R,LF 是东芝半导体（Toshiba Semiconductor and Storage）生产的一款P沟道MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET）类别。该器件采用小型表面贴装封装（如SOP或SON），具有低导通电阻、高开关效率和良好的热稳定性，适用于空间受限且对功耗敏感的电子设备。 其主要应用场景包括：便携式电子产品（如智能手机、平板电脑和可穿戴设备）中的电源管理与负载开关，用于控制电池供电路径或模块供电启停；在DC-DC转换电路中作为同步整流或高端/低端开关元件，提升电源转换效率；还可用于电机驱动、LED驱动及各类小型电子设备中的信号切换与功率控制。 由于其具备优良的雪崩耐受能力和静电防护特性，SSM3J328R,LF也适合工业控制、消费类电源适配器和家用电器中的低功率开关应用。此外，产品符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代化绿色电子产品制造。总体而言，该MOSFET凭借高可靠性、小尺寸和高效能，广泛应用于需要节能、紧凑设计的中低功率电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| Id-连续漏极电流 | - 6 A |
| 品牌 | Toshiba |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J328R |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba SSM3J328R,LF |
| 产品型号 | SSM3J328R,LF |
| Pd-PowerDissipation | 1 W |
| Pd-功率耗散 | 1 W |
| Qg-GateCharge | 12.8 nC |
| Qg-栅极电荷 | 12.8 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 47.4 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1 V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 107 ns |
| 商标 | Toshiba |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 47.4 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | SOT-23F-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导-最小值 | 4.5 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
| 漏极连续电流 | - 6 A |
| 配置 | Single |
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