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FQP9N90C产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP9N90C由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP9N90C价格参考。Fairchild SemiconductorFQP9N90C封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 900V 8A(Tc) 205W(Tc) TO-220AB。您可以下载FQP9N90C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP9N90C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP9N90C 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET/MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括: 1. 开关电源 (SMPS): FQP9N90C 具有 900V 的高击穿电压,适用于开关电源中的高压开关应用,例如离线式开关电源、反激式转换器和升压/降压转换器。 2. 电机控制: 该器件可用于驱动中小型电机,尤其是在需要高电压切换的应用中,如家用电器(风扇、泵)或工业设备中的电机控制电路。 3. 逆变器: 在太阳能逆变器或 UPS 系统中,FQP9N90C 可作为高压开关元件,用于 AC-DC 或 DC-AC 转换电路。 4. 电磁阀驱动: 高压电磁阀通常需要大电流和高电压驱动,FQP9N90C 的特性使其非常适合用作电磁阀的开关元件。 5. 负载开关: 在需要高耐压的负载开关应用中,例如汽车电子或工业控制系统,FQP9N90C 可以安全地控制负载的通断。 6. PFC(功率因数校正)电路: 在功率因数校正电路中,FQP9N90C 可以用作主开关管,帮助提高系统的效率和功率因数。 7. 继电器替代: 在需要快速切换和长寿命的场景中,FQP9N90C 可以替代传统机械继电器,提供更可靠的固态解决方案。 8. 照明系统: 适用于高压 LED 照明驱动电路或 HID(高强度气体放电灯)镇流器,提供高效的电压和电流控制。 9. 家电保护电路: 在家电产品中,FQP9N90C 可用于过压、过流保护电路,确保设备在异常情况下安全运行。 总结来说,FQP9N90C 凭借其高耐压、低漏电流和优异的开关性能,广泛应用于各种高压、大功率的电子设备和工业控制领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 900V 8A TO-220MOSFET 900V N-Channel Adv Q-FET C-Series |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8 A |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP9N90CQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQP9N90C |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 205 W |
| Pd-功率耗散 | 205 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.4 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.4 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 900 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 900 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 120 ns |
| 下降时间 | 75 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2730pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 58nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.4 欧姆 @ 4A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | FQP9N90C-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 100 ns |
| 功率-最大值 | 205W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 9.2 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8A (Tc) |
| 系列 | FQP9N90C |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQP9N90C_NL |