Datasheet下载- 型号： SI5441BDC-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5441BDC-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5441BDC-T1-GE3价格参考。VishaySI5441BDC-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI5441BDC-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI5441BDC-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI5441BDC-T1-GE3 是一款P沟道增强型MOSFET，采用1.2mm × 1.2mm小尺寸DFN封装，具有低导通电阻（RDS(on)）和高功率密度，适用于空间受限的便携式电子设备。其主要应用场景包括： 1. 电池供电设备：广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携产品中，作为电源开关或负载开关，实现高效的电源管理与电池保护。 2. 电源管理电路：在DC-DC转换器、LDO控制器及电压反转电路中用作同步整流或高端/低端开关，提升转换效率。 3. 热插拔与过流保护：用于USB接口、充电端口等需要防反接和过流保护的场合，防止短路或浪涌电流损坏主系统。 4. 电机驱动与LED驱动：在小型电机控制和背光驱动电路中作为开关元件，提供快速响应和低功耗控制。 5. 消费类电子产品：如无线耳机、智能手表、蓝牙模块等对体积和能效要求高的设备中，实现紧凑设计与长续航。 该器件具备优良的热性能和可靠性，符合RoHS环保标准，适合自动化贴片生产，是现代高集成度电子系统中理想的功率开关解决方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI5441BDC-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 45 毫欧 @ 4.4A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.4A （Ta） |
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