ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > IRFR1010ZPBF
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRFR1010ZPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR1010ZPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR1010ZPBF价格参考。International RectifierIRFR1010ZPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 55V 42A(Tc) 140W(Tc) D-Pak。您可以下载IRFR1010ZPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR1010ZPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的IRFR1010ZPBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括以下领域: 1. 电源管理 - IRFR1010ZPBF适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电压调节模块等应用。其低导通电阻(Rds(on))特性能够有效降低功率损耗,提高系统效率。 - 可用于电池充电电路中,作为开关元件控制充电电流。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机驱动中,该MOSFET可用作功率开关,实现对电机速度和方向的精确控制。 - 其快速开关速度和低功耗特性使其适合高频电机驱动应用。 3. 工业自动化 - 用于工业控制系统中的继电器替代、固态继电器或负载切换应用。 - 在可编程逻辑控制器(PLC)中,作为输出驱动元件控制外部设备。 4. 汽车电子 - 适用于汽车电子中的负载切换、LED照明驱动、电动窗/座椅控制等场景。 - 其高可靠性和耐热性能满足汽车环境下的严苛要求。 5. 消费电子 - 在笔记本电脑适配器、手机充电器和其他便携式设备的电源管理中,提供高效的功率转换。 - 用于音频放大器的保护电路,防止过流或短路损坏。 6. 通信设备 - 在基站电源、通信模块和网络设备中,作为功率开关元件,确保高效稳定的电力传输。 总结 IRFR1010ZPBF凭借其优异的电气性能(如低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性),广泛应用于需要高效功率转换和开关控制的场景。无论是消费电子、工业设备还是汽车领域,这款MOSFET都能提供可靠的解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 42A DPAKMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms 63nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 91 A |
| Id-连续漏极电流 | 91 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR1010ZPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR1010ZPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 140 W |
| Pd-功率耗散 | 140 W |
| Qg-GateCharge | 63 nC |
| Qg-栅极电荷 | 63 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 76 ns |
| 下降时间 | 48 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2840pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 95nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7.5 毫欧 @ 42A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | *IRFR1010ZPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 42 ns |
| 功率-最大值 | 140W |
| 功率耗散 | 140 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 7.5 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 63 nC |
| 标准包装 | 75 |
| 汲极/源极击穿电压 | 55 V |
| 漏极连续电流 | 91 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 42A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfru1010z.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfru1010z.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |