Datasheet下载- 型号： STB8NM60D
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB8NM60D由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB8NM60D价格参考。STMicroelectronicsSTB8NM60D封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STB8NM60D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB8NM60D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STB8NM60D是一款N沟道增强型高压MOSFET，属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件耐压高达600V，连续漏极电流可达8A（具体值依条件而定），具有低导通电阻和优良的开关性能，适用于高效率、高电压的电源转换场景。 典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC电源适配器、充电器、PC电源等，作为主开关管，实现高效电能转换。 2. 照明系统：适用于电子镇流器、LED驱动电源等，支持高频工作，提升照明系统的能效与稳定性。 3. 电机控制：在小型家电或工业控制设备中用于控制交流电机的启停与调速。 4. 逆变器：应用于太阳能逆变器或不间断电源（UPS）中，进行直流到交流的转换。 5. 感应加热设备：如电磁炉等家用电器，利用其高频开关特性实现能量高效传输。 STB8NM60D采用TO-220FP或类似封装，具备良好的散热性能和可靠性，适合紧凑型设计。其内置快速恢复体二极管，可减少外部元件数量，简化电路设计。综合来看，该MOSFET特别适用于中等功率、高电压、高效率要求的工业与消费类电子产品中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 8A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STB8NM60D |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 380pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1 欧姆 @ 2.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 497-5244-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF94259?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 100W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A （Tc） |
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