Datasheet下载- 型号： 2N6661JTVP02
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N6661JTVP02由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N6661JTVP02价格参考。Vishay2N6661JTVP02封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2N6661JTVP02参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N6661JTVP02 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 品牌的 2N6661JTVP02 是一款 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于分立式场效应晶体管。该器件常用于需要高效开关和功率控制的电路中。 主要应用场景包括： 1. 电源管理电路：适用于 DC-DC 转换器、电池充电器及负载开关，因其具备良好的导通电阻与耐压特性，适合低电压系统中的功率控制。 2. 电机驱动与继电器替代：作为固态开关使用，控制小型电机、电磁阀或继电器，具有响应快、寿命长、无机械磨损等优点。 3. 工业控制系统：用于自动化设备、PLC（可编程逻辑控制器）输出模块中，实现对执行机构的快速开关控制。 4. 消费类电子产品：如笔记本电脑、移动电源、智能家电等设备中的功率调节与电源分配模块。 5. 汽车电子：在车载电源系统、灯光控制、电动窗等应用中，提供可靠且高效的开关功能。 该 MOSFET 封装形式为 TO-226（类似 TO-92），便于安装与散热，适用于中低功率应用场合。设计时需注意其最大工作电压、电流及热管理要求，以确保稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 90V 860MA TO-205 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 2N6661JTVP02 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4 欧姆 @ 1A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-39 |
| 功率-最大值 | 725mW |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-205AD，TO-39-3 金属罐 |
| 标准包装 | 20 |
| 漏源极电压(Vdss) | 90V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 860mA （Tc） |
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