Datasheet下载- 型号： FQD1N60CTF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD1N60CTF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD1N60CTF价格参考。Fairchild SemiconductorFQD1N60CTF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQD1N60CTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD1N60CTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD1N60CTF 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，常用于中高功率开关应用。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：如AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）中的高频开关元件，适用于需要高效能和低导通损耗的场合。 2. 电机控制：用于直流电机或步进电机的驱动电路中，实现对电机转速与方向的高效控制。 3. 照明系统：在LED照明驱动电源中作为开关元件，支持高效率和高稳定性的电源转换。 4. 消费电子产品：如电视、音响设备、充电器等内部电源电路中，提供高效能与小型化设计优势。 5. 工业自动化：用于工业控制系统中的功率开关，如PLC、继电器驱动电路等。 该器件具有高耐压（600V）、低导通电阻、高开关速度等特性，适合需要高效能、高可靠性的应用场景。同时，其封装形式（如TO-220）便于散热和安装，广泛适用于各类中高功率电子设备中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 1A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD1N60CTF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 170pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1A （Tc） |
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