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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRL520由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL520价格参考。VishayIRL520封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 9.2A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRL520参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRL520 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRL520是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理:IRL520常用于开关电源(SMPS)和直流-直流转换器中,作为高效、低损耗的开关元件。它能够快速切换,减少开关损耗,提高电源转换效率。 2. 电机驱动:在电动工具、家用电器和工业自动化系统中,IRL520可以用来驱动直流电机或步进电机。它的低导通电阻(Rds(on))特性有助于降低功耗,延长电池寿命,并提高系统的整体性能。 3. 负载开关:在消费电子设备如智能手机、平板电脑和其他便携式设备中,IRL520可以用作负载开关,控制电路的通断。它具有较低的导通电阻,减少了电压降和发热,确保设备稳定运行。 4. 逆变器与太阳能系统:在光伏逆变器和太阳能充电控制器中,IRL520可用于调节电流和电压,实现高效的能量转换。其高可靠性和耐用性使其适合长期户外工作环境。 5. 音频放大器:在一些低频音频放大器设计中,IRL520可以用作输出级的功率管,提供足够的驱动能力,同时保持较低的失真率和良好的线性度。 6. 汽车电子:在汽车电子系统中,例如车载音响、车窗升降器和座椅调节装置等,IRL520可以承受较大的电流波动和温度变化,保证系统的安全性和可靠性。 总之,IRL520凭借其优异的电气特性、广泛的耐压范围和良好的散热性能,在多个领域得到了广泛应用。无论是消费类电子产品还是工业控制设备,它都能胜任关键的功率管理任务。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220ABMOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 9.2 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 否含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRL520- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRL520IRL520 |
| Pd-PowerDissipation | 60 W |
| Pd-功率耗散 | 60 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 270 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 270 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 上升时间 | 64 ns |
| 下降时间 | 27 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 490pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 270 毫欧 @ 5.5A,5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRL520 |
| 典型关闭延迟时间 | 21 ns |
| 功率-最大值 | 60W |
| 功率耗散 | 60 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 270 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 9.2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9.2A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 10 V |