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Datasheet下载- 型号： IRFR9024PBF
- 制造商： Vishay
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IRFR9024PBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR9024PBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR9024PBF价格参考￥3.06-￥3.06。VishayIRFR9024PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 60V 8.8A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak。您可以下载IRFR9024PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR9024PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRFR9024PBF是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于各种电力电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 电源管理：该器件常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电压调节模块（VRM）等电路中，作为开关元件实现高效的能量转换和管理。它能够快速响应负载变化，保持输出电压稳定，并减少能耗。 2. 电机控制：在无刷直流电机（BLDC）、步进电机和其他类型的电动机控制系统里，IRFR9024PBF可以用来驱动电机绕组，通过PWM（脉宽调制）信号精确控制电机的速度与方向。此外，在一些小型家电如风扇、泵类设备中也可见到它的身影。 3. 电池保护：对于锂电池组或其他可充电电池系统而言，此款MOSFET可用于过流保护、短路保护以及充放电路径的选择性切断等功能，确保电池的安全使用。 4. 音频放大器：在某些高保真音响设备或便携式多媒体播放器中，IRFR9024PBF能充当音频信号放大的末级功放管，提供足够的电流驱动扬声器发声，同时具备低噪声特性以保证音质纯净度。 5. 逆变器及UPS不间断电源：这类产品需要将直流电转变为交流电供给负载使用，而MOSFET正是完成这一过程的关键部件之一。凭借其良好的导通电阻特性和开关速度，IRFR9024PBF有助于提高转换效率并降低发热损耗。 总之，由于其出色的电气性能和可靠性，IRFR9024PBF非常适合用作各类工业自动化、消费电子产品及通信基础设施中的核心组件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAKMOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 8.8 A |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFR9024PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR9024PBF |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 280 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 280 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 68 ns |
| 下降时间 | 29 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 570pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 280 毫欧 @ 5.3A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 280 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 60 V |
| 漏极连续电流 | 8.8 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.8A （Tc） |
| 系列 | IRF/SIHFx9024 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
