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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB18N50K由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB18N50K价格参考。VishayIRFB18N50K封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFB18N50K参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFB18N50K 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFB18N50K 是由 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于多种电力电子设备中。该器件具有 500V 的漏源击穿电压和 18A 的连续漏极电流能力,具备良好的导通性能与开关特性,适合中高功率应用。 主要应用场景包括: 1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等,用于高效能电能转换。 2. 电机驱动:用于工业自动化设备、无刷电机控制器、电动工具等场合,作为功率开关控制电机运转。 3. 逆变器系统:如太阳能逆变器、UPS 不间断电源等,用于将直流电转换为交流电输出。 4. 照明系统:在高强度气体放电灯(HID)或 LED 驱动器中作为功率控制元件。 5. 家电控制:如电磁炉、微波炉、洗衣机等家用电器中的功率控制模块。 该 MOSFET 封装为 TO-262,适合通孔安装,具备较低的导通电阻和良好的热稳定性,适合在中高功率密度设计中使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91100点击此处下载产品Datasheet |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFB18N50K |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2830pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 120nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 290 毫欧 @ 10A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRFB18N50K |
| 功率-最大值 | 220W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 17A (Tc) |