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  • 型号: STP6NK60Z
  • 制造商: STMicroelectronics
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STP6NK60Z产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STP6NK60Z由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP6NK60Z价格参考。STMicroelectronicsSTP6NK60Z封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 6A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB。您可以下载STP6NK60Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP6NK60Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics的STP6NK60Z是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效开关和功率控制的场景。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC适配器中,提供高效的能量转换。

2. 电机驱动:适用于电动工具、家用电器及工业设备中的电机控制电路,实现快速开关和低损耗运行。

3. 照明系统:在LED照明和电子镇流器中作为高频开关元件,提升能效和可靠性。

4. 消费电子产品:如电视、音响和充电器等设备中,用于功率调节与负载开关控制。

5. 工业自动化:用于变频器、伺服驱动器和PLC等控制系统,满足高可靠性和耐久性需求。

该器件具备低导通电阻、高击穿电压(600V)和良好热性能,适合多种中高功率应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 600V 6A TO-220MOSFET N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

6 A

Id-连续漏极电流

6 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP6NK60ZSuperMESH™

数据手册

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产品型号

STP6NK60Z

Pd-PowerDissipation

110 W

Pd-功率耗散

110 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.2 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1.2 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

14 ns

下降时间

19 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

905pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

46nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.2 欧姆 @ 3A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

497-3198-5

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF67405?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

47 ns

功率-最大值

110W

包装

管件

单位重量

1.438 g

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

5 S

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6A (Tc)

系列

STP6NK60Z

通道模式

Enhancement

配置

Single

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