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产品简介:
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STMicroelectronics的STB200NF04T4是一款N沟道增强型功率MOSFET,属于单MOSFET器件。其导通电阻极低(典型值约1.8mΩ),额定电流高达200A,耐压为40V,具有优异的导通性能和高效率特性,适用于大电流、低损耗的应用场景。 该器件广泛应用于需要高效能功率开关的场合,如直流-直流转换器(DC-DC)、同步整流电路、电池供电系统中的电源管理模块等。在电动工具、电动自行车、无人机等便携式设备中,常用于电机驱动电路,以实现快速响应和高效能量转换。此外,也适用于汽车电子系统中的负载控制、车载充电模块或LED照明驱动电路,因其具备良好的热稳定性和抗冲击能力。 STB200NF04T4采用PowerFLAT 5x6封装,体积小、散热性能好,适合高密度PCB布局,特别适用于对空间和能效要求较高的现代电子产品。其低栅极电荷和低输入电容也有助于减少驱动损耗,提升整体系统效率。综合来看,该MOSFET适用于高电流开关、电源管理和电机控制等高性能功率应用领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | STB200NF04T4 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | STripFET™ II |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5100pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 210nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.7 毫欧 @ 90A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 497-3513-1 |
| 功率-最大值 | 310W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 120A (Tc) |