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Datasheet下载- 型号： BSS138BK,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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BSS138BK,215产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSS138BK,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS138BK,215价格参考￥0.00-￥0.00。NXP SemiconductorsBSS138BK,215封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 60V 360mA (Ta) 350mW (Ta), 1.14W (Tc) Surface Mount TO-236AB。您可以下载BSS138BK,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSS138BK,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSS138BK,215 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款N沟道MOSFET，属于小信号MOSFET类别，广泛应用于低电压、低功耗的电子电路中。其主要应用场景包括： 1. 信号开关：常用于模拟和数字信号的切换，如音频、数据线路中的开关控制，因其导通电阻低、开关速度快，适合高频信号处理。 2. 电平转换：在不同电压域（如1.8V与3.3V、5V系统之间）的数字电路中，BSS138BK,215 常被用于I²C、UART等通信接口的电平转换电路，确保信号兼容性。 3. 电源管理：适用于电池供电设备中的负载开关，控制电源通断，降低待机功耗，常见于便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。 4. 驱动电路：可用于驱动LED、小型继电器或其他低功率负载，实现高效的开关控制。 5. 保护电路：在防反接或过流保护设计中作为控制元件，提升系统可靠性。 该器件采用SOT-23封装，体积小巧，适合高密度贴装，工作温度范围宽（-55°C至150°C），可靠性高，因此广泛应用于消费电子、工业控制、通信模块及汽车电子等领域。其高性价比和稳定性能使其成为众多设计师在中小功率开关应用中的首选。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V TO-236ABMOSFET N-CH 60 V 360 mA |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 360 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BSS138BK,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BSS138BK,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 350 mW |
| Pd-功率耗散 | 350 mW |
| Qg-GateCharge | 0.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.7 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.6 Ohms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.6V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 56pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.7nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.6 欧姆 @ 350mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-10307-6 |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1.6 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 700 mS |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 360 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 360mA （Ta） |
