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  • 型号: NTD4910N-35G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4910N-35G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4910N-35G价格参考。ON SemiconductorNTD4910N-35G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTD4910N-35G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTD4910N-35G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTD4910N-35G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括但不限于以下领域:

 1. 电源管理
   - 开关电源 (SMPS):NTD4910N-35G 的低导通电阻 (Rds(on)) 和高电流处理能力使其非常适合用于开关电源中的功率开关。
   - DC-DC 转换器:在降压或升压转换器中作为主开关或同步整流器使用,提高效率并减少能量损耗。
   - 电池充电器:可用于锂离子电池或其他类型电池的充电电路中,控制充电电流和电压。

 2. 电机驱动
   - 无刷直流电机 (BLDC):在 BLDC 电机驱动器中用作功率级开关,实现高效的 PWM 控制。
   - 步进电机驱动:适用于小型步进电机驱动应用,提供精确的电流控制。
   - 风扇控制:用于家用或工业风扇的速度调节和启动控制。

 3. 负载切换
   - 负载开关:在各种电子设备中用作负载开关,控制不同负载的通断。
   - 热插拔保护:在服务器、通信设备等需要频繁插拔的应用中,提供过流保护和软启动功能。

 4. 汽车电子
   - 车载电子设备:如车窗升降器、雨刷控制器、座椅调节系统等,利用其耐用性和可靠性。
   - LED 照明:用于汽车 LED 灯具的驱动电路,提供高效且稳定的电流输出。

 5. 消费类电子产品
   - 笔记本电脑适配器:在便携式设备的电源适配器中作为功率开关。
   - 家用电器:如电饭煲、微波炉、洗衣机等,用于功率控制和电机驱动。
   - 音频放大器:在 D 类音频放大器中用作输出级开关。

 6. 工业自动化
   - 可编程逻辑控制器 (PLC):用于 PLC 的输入/输出模块中,控制外部设备的运行。
   - 传感器接口:为工业传感器供电并进行信号调理。
   - 机器人驱动:在小型机器人中用于驱动伺服电机或舵机。

 特性优势
- 低导通电阻 (Rds(on)):降低功耗,提高效率。
- 高雪崩能量能力:增强器件的鲁棒性,适合严苛环境。
- 快速开关速度:减少开关损耗,适合高频应用。

综上所述,NTD4910N-35G 广泛应用于需要高效功率控制和可靠开关性能的各种场景中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 30V 37A IPAK TRIMMEDMOSFET NFET DPAK 30V 37A 9.0MO

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

37 A

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD4910N-35G-

数据手册

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产品型号

NTD4910N-35G

PCN过时产品

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Pd-PowerDissipation

2.6 W

Pd-功率耗散

2.6 W

RdsOn-漏源导通电阻

13 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1203pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

15.4nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

9 毫欧 @ 30A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

I-Pak

功率-最大值

1.37W

包装

管件

商标

ON Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

13 mOhms

封装/外壳

TO-251-3 短截引线,IPak

封装/箱体

IPAK-3

工厂包装数量

75

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

75

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

37 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8.2A (Ta), 37A (Tc)

配置

Single

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