【晶体管 - FET，MOSFET - 单_PMV30UN2R】封装/厂家_PMV30UN2R中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > PMV30UN2R

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： PMV30UN2R
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供PMV30UN2R由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMV30UN2R价格参考。NXP SemiconductorsPMV30UN2R封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 20V 4.2A（Ta） 490mW（Ta）, 5W（Tc） TO-236AB（SOT23）。您可以下载PMV30UN2R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMV30UN2R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 的 PMV30UN2R 是一款P沟道MOSFET，属于晶体管中的FET类别。该器件具有低导通电阻、高开关效率和良好的热稳定性，适用于多种电源管理与信号控制场景。

PMV30UN2R常用于便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，主要用于电池供电系统的电源开关与负载管理。其P沟道特性使其在高边开关（High-side Switch）应用中表现出色，能够有效控制电源的通断，降低功耗，延长电池续航时间。

此外，该型号也广泛应用于DC-DC转换器、电压反转电路和电机驱动模块中，适合需要高效能、小尺寸封装的场合。由于其采用SOT223封装，具备良好的散热性能，可在较宽温度范围内稳定工作，因此也适用于工业控制、消费类电源适配器和嵌入式系统等环境。

PMV30UN2R还适合用于替代机械开关或作为电子开关控制LED背光、传感器模块等低压外设的供电，提供更快速、可靠的响应。其坚固的设计和高可靠性使其在汽车电子辅助系统（如车载信息终端、小型执行器控制）中也有一定应用。

总之，PMV30UN2R凭借其优异的电气性能和紧凑封装，广泛应用于对空间和能效要求较高的低电压、中低电流开关场景。

产品参数图文手册常见问题