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DMN6068LK3-13产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN6068LK3-13由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN6068LK3-13价格参考¥1.22-¥1.60。Diodes Inc.DMN6068LK3-13封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 6A(Ta) 2.12W(Ta) TO-252-3。您可以下载DMN6068LK3-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN6068LK3-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMN6068LK3-13是一款N通道逻辑电平增强型MOSFET,主要应用于低电压、高效率的功率管理场景。以下是其典型应用场景: 1. 便携式电子设备 - 电池管理系统:用于锂电池保护电路中,控制充电和放电路径,防止过流、短路或过充。 - 负载开关:在智能手机、平板电脑和其他便携式设备中用作高效负载开关,实现快速开启/关闭和低功耗待机。 2. 电源管理 - DC-DC转换器:作为同步整流MOSFET,用于降压或升压转换器中,提高转换效率并降低功耗。 - 线性稳压器(LDO):配合LDO使用,提供更高效的电源切换功能。 3. 电机驱动 - 小型直流电机控制:适用于玩具、家用电器中的小功率电机驱动,实现速度调节和方向控制。 - H桥电路:用于双极性电机驱动,支持正转和反转操作。 4. 信号切换 - 音频信号切换:在多输入音频设备中,用于选择不同的信号源,同时保持低噪声性能。 - 数据线路保护:在USB或其他高速接口中,用作保护开关以防止过压或ESD(静电放电)损坏。 5. 消费类电子产品 - 智能家居设备:如智能灯泡、插座等,用于功率控制和节能管理。 - 物联网(IoT)模块:为低功耗传感器或无线通信模块提供电源管理解决方案。 特点与优势 - 低导通电阻(Rds(on)):减少传导损耗,提升整体效率。 - 小型封装(SOT563):节省PCB空间,适合紧凑型设计。 - 高开关速度:支持高频应用,降低开关损耗。 - 宽工作电压范围:适用于多种低电压系统。 综上所述,DMN6068LK3-13适用于需要高效功率控制和小型化设计的各种消费类电子、工业控制和通信设备中。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 60V 6A DPAKMOSFET ENHANCE MODE MOSFET 60V N-CHANNEL |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 8.5 A |
Id-连续漏极电流 | 8.5 A |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN6068LK3-13- |
数据手册 | |
产品型号 | DMN6068LK3-13 |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 4.12 W |
Pd-功率耗散 | 4.12 W |
Qg-GateCharge | 10.3 nC |
Qg-栅极电荷 | 10.3 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 68 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 68 mOhms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 10.8 ns |
下降时间 | 8.7 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 502pF @ 30V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.3nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 68 毫欧 @ 12A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-252-3 |
其它名称 | DMN6068LK3-13DITR |
典型关闭延迟时间 | 11.9 ns |
功率-最大值 | 2.12W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 2,500 |
正向跨导-最小值 | 19.7 S |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6A (Ta) |
系列 | DMN6068 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |