Datasheet下载- 型号： SUD42N03-3M9P-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SUD42N03-3M9P-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUD42N03-3M9P-GE3价格参考。VishaySUD42N03-3M9P-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SUD42N03-3M9P-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SUD42N03-3M9P-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SUD42N03-3M9P-GE3是一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于各种电力电子场景中。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） 该MOSFET适用于开关电源中的功率转换部分，例如DC-DC转换器、降压或升压电路。其低导通电阻（Rds(on)）特性能够减少功率损耗，提高效率。 2. 电机驱动 在小型直流电机或步进电机驱动中，SUD42N03可用于控制电机的启停、转向和速度调节。其快速开关特性和低功耗性能使其非常适合这类应用。 3. 负载开关 作为负载开关，这款MOSFET可以用于保护电路免受过流、短路等异常情况的影响，同时实现对负载的快速开启或关闭。 4. 电池管理 在便携式设备（如笔记本电脑、平板电脑或手机）的电池管理系统中，该器件可用于电池充放电控制、保护电路以及电量监测。 5. 逆变器 SUD42N03可用于小型逆变器中，将直流电转换为交流电，适用于家用电器或工业设备的小功率逆变需求。 6. LED驱动 在LED照明应用中，这款MOSFET可以用作恒流源的一部分，以精确控制LED的亮度和工作状态。 7. 信号切换 在通信设备或数据传输系统中，该MOSFET可以用作信号切换元件，实现不同信号路径的选择。 8. 汽车电子 在汽车电子领域，SUD42N03可用于车身控制模块（BCM）、车窗升降器、座椅调节器等需要高效功率控制的场景。 总之，SUD42N03-3M9P-GE3凭借其优异的电气性能和可靠性，适合多种中低功率的应用场合，尤其在需要高效能、低损耗和快速响应的电路中表现突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-输入电容 | 3.535 nF |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 42A TO252MOSFET 30V 107A N-CH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 107 A |
| Id-连续漏极电流 | 107 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUD42N03-3M9P-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SUD42N03-3M9P-GE3SUD42N03-3M9P-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 73.5 W |
| Pd-功率耗散 | 73.5 W |
| Qg-GateCharge | 67 nC |
| Qg-栅极电荷 | 67 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V to 2.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3535pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 100nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.9 毫欧 @ 22A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-252 |
| 其它名称 | SUD42N03-3M9P-GE3-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,000 |
| 正向跨导-最小值 | 110 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 42A （Tc） |
| 配置 | Single |
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